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反向工作电压(VRWM): 171V 最小击穿电压(VBR): 190V 最大击穿电压(VBR): 210V 测试电流(IT): 1MA 箝位电压(VC):274 V 峰值电流(IPP): 2.2A 漏电流: 5UA
富茁半导体是由深圳市富茁电子有限公司和深圳市富茁投资发展有限公司共同组成,成立于2002年, 是一个朝气蓬勃且有强烈竟争意识、凝聚力的半导体企业,公司位于改革开放最前沿、经济发达的城市― ―深圳特区。
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深圳市富茁投资发展有限公司,其前身是深圳市富茁电子有限公司成立于2002年,是一个朝气蓬勃且有强烈竟争意识、凝聚力的半导体企业,公司位于改革开放最前沿、经济发达的城市――深圳特区。便利的交通及优美的环境和
富茁半导体是由深圳市富茁电子有限公司和深圳市富茁投资发展有限公司共同组成,成立于2002年, 是一个朝气蓬勃且有强烈竟争意识、凝聚力的半导体企业,公司位于改革开放最前沿、经济发达的城市― ―深圳特区。
品牌:日亚 型号:NDHV210AFB 波长:405nm 最大输出功率:CW 120mW 单模、高效率、性能稳定、寿命长、日亚全新原包装 工作电流:120mA 阈值电流:30mA 工作电压:4.8V 封装:TO-18 工作温度:+10~+40摄氏度
产品种类抱括:二极管,肖特基,快恢复,整流桥,整流二极管,肖特基二极管,快恢复二极管电子元件,SBL2040,S20C40,SBL1640,S16C40C,SR3040,F16C20C,F20C20C,MBR10100,MBR20100,MBR1040,1N4148,1N5819,1
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产品种类抱括:二极管,肖特基,快恢复,整流桥,整流二极管,肖特基二极管,快恢复二极管电子元 件,SBL2040,S20C40,SBL1640,S16C40C,SR3040,F16C20C,F20C20C,MBR10100,MBR20100,MBR1040 ,1N4148,1
富茁半导体是由深圳市富茁电子有限公司和深圳市富茁投资发展有限公司共同组成,成立于2002年, 是一个朝气蓬勃且有强烈竟争意识、凝聚力的半导体企业,公司位于改革开放最前沿、经济发达的城市― ―深圳特区。
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